C2M0280120D—碳化硅功率 MOSFET C2MTM MOSFET 技术 N 沟道增强模式
特点
• C2MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
• 高阻塞电压,低导通电阻
• 高速开关,低电容
• 快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)
• 无卤素,符合 RoHS 规范
规格
FET: 类型 N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 370 毫欧 @ 6A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V @ 1.25mA(典型值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.4 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 259 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值): 62.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
应用
• 可再生能源
• 高压 DC/DC 转换器
• 开关模式电源
• 不间断电源
型号
品牌
封装
数量
描述
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C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻塞电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合 RoHS 规范C3M0060065D 的优点更高的系统效率降低冷却要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术优化封装,具有独立的驱动源引脚漏极和源极之间的爬电距离为 8 毫米高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0021120D 的特点第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管无卤素,符合 RoHS 规范C3M0021120D 的优点降低开关损耗,最大限度地减少栅极振铃…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0060075K1 的特点优化封装,具有独立的驱动源引脚高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容本征二极管速度快,反向恢复 (Qrr) 低无卤素,符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0045075K1 的特点优化封装,具有独立的驱动源引脚高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容本征二极管速度快,反向恢复 (Qrr) 低无卤素,符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半桥、工业级 HV-H3TRB 认证、CTI 600、SiC 功率模块。Wolfspeed HAS模块非常适用于高频 工业应用,如感应加热、轨道/牵引、电机驱动器和电动汽车充电基础设施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源电压(Vdss):1200V25C 时电流 -…电话咨询:86-755-83294757
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