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最新的 STGWA40HP65FB2 IGBT 650 V HB2 系列代表了先进的专有沟槽栅场停结构的发展。由于在低电流值时具有更好的 VCE（饱和）特性，HB2 系列在传导方面的性能得到了优化，同时还降低了开关能量。一个仅用于保护目的的二极管与 IGBT 反并联封装。因此，该产品专门设计用于最大限度地提高各种快速应用的效率。

功能

最高结温：TJ = 175 °C

低 VCE(sat) = 1.55 V（典型值） @ IC = 40 A

共封装保护二极管

尾电流最小

严格的参数分布

热阻低

正 VCE（饱和）温度系数

产品属性

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.55 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流: 72 A

Pd-功率耗散: 227 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

集电极最大连续电流 Ic: 72 A

栅极—射极漏泄电流: 250 nA

工厂包装数量: 600

单位重量: 6.100 g

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