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商品型号:NTC040N120SC1

商品名称:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:ON

年份:24+

封装:模具

货期:全新原装

库存数量:3000

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技术参数

制造商
ON
型号
NTC040N120SC1
封装
模具
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die

产品描述

NTC040N120SC1 1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET与硅器件相比,具有出色的开关性能和高可靠性。 这些MOSFET具有低导通电阻,可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。


NTC040N120SC1的规格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:10.4 ns

正向跨导 - 最小值:20 S

Id-连续漏极电流:60 A

最大工作温度:+ 175°C

最小工作温度:- 55°C

安装风格:SMD/SMT

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:348 W

产品类型:SiC MOSFETS

Qg-栅极电荷:106 nC

Rds On-漏源导通电阻:56 mOhms

上升时间:41 ns

系列:NTC040N120SC1

工厂包装数量:1

子类别:Transistors

技术:SiC

商标名:EliteSiC

晶体管极性:N-Channel

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:18 ns

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V


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常见问题

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    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

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    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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