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NTBG023N065M3S是一款650 V碳化硅MOSFET，采用表面贴装型D2PAK-7L封装。

说明：

650V M3S平面SiC MOSFET新系列针对快速开关应用进行了优化。平面技术在负栅极电压驱动下工作可靠，并关闭栅极上的尖峰。该系列采用18V栅极驱动时性能最佳，但采用15V栅极驱动时也能正常工作。

NTBG023N065M3S的规格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：9.6 ns

Id-连续漏极电流：40 A

最大工作温度：+ 175°C

最小工作温度：- 55°C

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1 Channel

封装 / 箱体：D2PAK-7

封装：Reel

Pd-功率耗散：263 W

产品：SiC MOSFETS

产品类型：SiC MOSFETS

Qg-栅极电荷：69 nC

Rds On-漏源导通电阻：33 mOhms

上升时间：15 ns

系列：NTBG023N065M3S

工厂包装数量：800

子类别：Transistors

技术：SiC

晶体管极性：N-Channel

晶体管类型：1 N-Channel

典型关闭延迟时间：35 ns

典型接通延迟时间：11 ns

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Vgs - 栅极-源极电压：- 8 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4 V

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