SCT040TO65G3 碳化硅功率 MOSFET 器件采用先进、创新的第三代碳化硅 MOSFET 技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有极低的 RDS(on),同时还具有低电容和极高的开关操作性能,从而在频率、能效、系统尺寸和减重方面提高了应用性能。
SCT040TO65G3 的特点
速度极快、坚固耐用的本体二极管
整个温度范围内的 RDS(导通)极低
高速开关性能
源检测引脚可提高效率
SCT040TO65G3 的应用
开关模式电源
直流-直流转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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