AR0234CSSM00SUKA0-CP2是一款1/2.6英寸200万像素CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1920 (H) x 1200 (V)。该传感器具有高级摄像头功能,如自动曝光控制、窗口、行和列跳过模式、像素分档以及视频/单帧模式。
规格:
类型:CMOS数字图像传感器
图象大小:1920 H x 1200 V
颜色读出:Monochrome
分辨率:2.3 Megapixels
每秒帧数:120 fps
像素大小 - 宽x高:3 um x 3 um
封装 / 箱体:ODCSP-83
封装:Tray
商标:onsemi
湿度敏感性:Yes
安装风格:SMD/SMT
光学格式:1/2.6 in
产品类型:Image Sensors
系列:AR0234CS
特性:
一流的全局快门效率
低暗电流/热像素
高线性满井
低工作功率
小尺寸面积
内置统计引擎
多种功能模式--行跳、列跳、合并采样
AR0234CS以业界领先的全局快门效率产出极为清晰、锐利的数字图片,它既能捕获连续视频,又能捕获单帧,这使它成为各种应用的完美选择,如扫描、自主移动、监视监控和工业质量控制。
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
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UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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