功率 MOSFET IQDH45N04LM6SC 具有 0.45 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的散热性能,便于管理功率损耗。此外,与包覆封装相比,双面冷却封装的耗散功率可提高五倍。
产品特性
最先进的 40 V 硅技术
出色的 FOM
改进的热性能
超低寄生
最大化芯片/封装比
产品属性
制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™ 6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :58A (Ta), 611A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.49 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 1.449mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12000 pF @ 20 V
功率耗散(最大值): 3W(Ta),333W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
应用领域
低压驱动
电动工具
电源
服务器电源
计算和数据存储
型号
品牌
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描述
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