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IGLR65R200D2氮化镓功率晶体管可提高高频工作时的效率。作为 CoolGaN™ 650 V G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，实现了具有卓越效率的高可靠性设计。

它采用底部冷却 ThinPAK 封装，非常适合外形纤薄的消费类应用。

IGLR65R200D2特性概述：

650 V 电子模式功率晶体管

超快开关

无反向恢复电荷

能够反向传导

低栅极电荷、低输出电荷

卓越的换向坚固性

低动态 RDS(on)

高 ESD 鲁棒性：2 kV HBM - 1 kV CDM

底部冷却封装

通过 JEDEC 认证（JESD47、JESD22）

IGLR65R200D2规格：

产品种类: GaN 场效应晶体管

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 9.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 1.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 33 W

通道模式: Enhancement

封装 / 箱体: PG-TSON-8

IGLR65R200D2潜在应用：

基于半桥硬开关和软开关拓扑（如图腾开关）的工业、电信、数据中心 SMPS 以及充电器和适配器。以及充电器和适配器。

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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