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Excelon™-Ultra CY15V102QSN 采用了高级铁电工艺的高性能 2 Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器 （即 F-RAM）与 RAM 相同，是执行读和写操作的易失性存储器。它提供 151 年 的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存和其他非易失性存储 器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。 

与串行闪存不同的是，CY15V102QSN 以总线速度执行写操作。 并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据 立即被写入到存储器阵列内。这时，可以开始执行下一个总线周 期而不需要轮询数据。此外，与其他非易失性存储器相比，该产 品提供了更多的擦写次数。 CY15V102QSN 能够提供 1014 次的 读 / 写周期，或支持比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。由于具有 这些特性，因此 CY15x104QSN 非常适用于需要频繁或快速写操 作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写 周期数量是非常重要的）到满足工业级控制（其中串行 Flash 的 较长写时间会使数据丢失）。 

CY15V102QSN将 2 Mbit F-RAM 与高速度四线 SPI（QPI）SDR 和 DDR 接口相结合，从而增强 F-RAM 技术的非易失性写入功 能。该器件包含一个只读的器件 ID 和唯一 ID 特性，通过它们， SPI 总线主设备可以确定器件的制造商、产品容量、产品版本和 唯一 ID。该器件包含一个唯一只读序列号，可用来识别某个电路 板或系统。 

该器件支持片上 ECC 逻辑，可以在每个 8 字节数据单元内检测 和纠正单比特错误。该器件还包含在 8 字节数据单元中提供双比 特错误报告的扩展功能。 CY15V102QSN还支持循环冗余校验 （CRC），可用来校验存储器阵列中所存储数据的完整性。

特性

2 Mbit 铁电随机存取存储器（F-RAM）被逻辑组织为 256K × 8

提供了 100 万亿次（1014）的读 / 写周期，几乎为无限次数的耐久性。

151 年数据保留时间 （见数据保留时间与耐久性 on page 74）

NoDelay™ 写操作

高级高可靠性的铁电工艺

单和多 I/O SPI

串行总线接口 SPI 协议

支持 SPI 模式 0 （0， 0）和模式 3 （1， 1），适用于所有SDR 模式转换

支持 SPI 模式 0 （0， 0），适用于所有 DDR 模式转换

扩展型 I/O SPI 协议

双线 SPI （DPI）协议

四线 SPI （QPI）协议

SPI 时钟频率

频率高达 108MHz 的 SPI SDR

高达 54MHz 频率的 SPI DDR 

芯片内执行 （XIP）模式下的存储器读 / 写操作

写入保护，数据安全性，数据完整性

使用写保护 （WP）引脚提供硬件保护

软件模块保护

嵌入式 ECC 和 CRC 增强了数据完整性

检测并纠正但比特错误的 ECC。在发生双比特错误时，它将不纠正错误，但将通过 ECC 状态寄存器进行错误报告

CRC 将检测原始数据的任意意外更改

扩展的电子签名

器件 ID 包含制造商 ID 和产品 ID

唯一 ID

用户可编程序列号。

专用 256 字节特殊扇区 F-RAM

专用特殊扇区写和读操作

内容可以在最多 3 个标准回流焊周期内保持不变

高速度，低功耗

SPI SDR 频率为 108 MHz 时，有效电流为 10 mA（典型值）

QSPI SDR 频率为 108 MHz 并且 QSPI DDR 频率为 54 MHz时，有效电流为 16 mA （典型值）

 待机电流为 110 µA （典型值）

 深度掉电模式电流为 0.80 µA （典型值）

 休眠模式电流为 0.1 µA （典型值）

低电压操作：CY15V102QSN: VDD = 1.71 V 到 1.89 V

工作温度范围：–40 °C 到 +85 °C

8 pin 小型塑封集成电路 （SOIC）封装

符合有害物质限制标准 （RoHS）

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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