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CY15B102QN-50LHXI是1.8V同步流水线SRAM，配备了QDR II架构。QDR II架构由两个独立的端口组成：读取端口和写入端口，用于访问存储器阵列。读取端口有专门的数据输出以支持读取操作，写入端口有专门的数据输入以支持写入操作。QDR II架构具有独立的数据输入和数据输出，以完全消除普通I/O设备存在的 "周转 "数据总线的需要。对每个端口的访问是通过一个共同的地址总线。读和写的地址在输入(K)时钟的交替上升沿被锁定。对QDR II读和写端口的访问是完全独立的。为了最大限度地提高数据吞吐量，读和写端口都配备了DDR接口。每个地址位置与两个8位字（CY7C1510KV18）、9位字（CY7C1525KV18）、18位字（CY7C1512KV18）或36位字（CY7C1514KV18）相关联，这些字按顺序进入或离开器件。由于数据可以在两个输入时钟（K和K以及C和C）的每个上升沿传送到器件中和从器件中传送出来，因此内存带宽得到了最大化，同时通过消除总线周转而简化了系统设计。

CY15B102QN-50LHXI产品属性

产品种类:静态随机存取存储器

存储容量:72 Mbit

组织:2 M x 36

访问时间:450 ps

最大时钟频率:250 MHz

接口类型:Parallel

电源电压-最大:1.9 V

电源电压-最小:1.7 V

电源电流—最大值:790 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:FBGA-165

存储类型:QDR

湿度敏感性:Yes

产品类型:SRAM

系列:CY7C1514KV18

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