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IMBG65R107M1HXTMA1是650V CoolSiC M1 SiC沟槽功率器件，SMD紧凑型封装SiC MOSFET。

IMBG65R107M1HXTMA1的产品属性

晶体管类型： N-沟道

技术： SiCFET (碳化硅)

漏极至源极电压（Vdss）： 650 V

电流 - 连续漏极（Id） @ 25°C： 24A (Tc)

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）： 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 141mOhm @ 8.9A, 18V

Vgs(th)（最大）@ Id： 5.7V @ 2.6mA

栅极电荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 15 nC @ 18 V

Vgs（最大）： +23V，-5V

输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds： 496 pF @ 400 V

功率耗散（最大）： 110W (Tc)

工作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型： 表面贴装

供应商器件封装： PG-TO263-7-12

封装/外壳：TO-263-8, D²Pak (7引线+接片), TO-263CA

IMBG65R107M1HXTMA1的特点

效率提高

高性能、高可靠性和易于使用的独特组合

易于使用和集成

适用于具有连续硬换向的拓扑结构

更高的稳健性和系统可靠性

集成电路芯片IMBG65R107M1HXTMA1 N沟道650V MOSFETs 晶体管

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。