商品名称：NTTFD4D0N04HLTWG
数据手册：
NTTFD4D0N04HLTWG.PDF
品牌：ON
年份：23+
封装：WQFN-12
货期：全新原装
库存数量：1100 件
NTTFD4D0N04HLTWG N沟道MOSFET是powertrench®电源夹对称双通道MOSFET，采用wqfn12封装 这些器件包括两个专用n沟道MOSFET，采用双封装。这些器件的开关节点内部连接，能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制mosfet (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 设计用于提供最佳功率效率。NTTFD4D0N04HLTWG N沟道MOSFET具有低RDS(on)、低QG和电容以及低导通/驱动器损耗。
特征
Q1: N-沟道
• 在VGS=10 V、ID=10 A时，最大rDS(on)=4.5 m
• 在VGS=4.5、ID=8.0 A时，最大rDS(on)=7 m
Q2: N-通道
• 最大rDS(on) = 4.5 m，VGS = 10 V，ID = 10 A
• 最大rDS(on) = 7 m，VGS = 4.5，ID = 8.0 A时
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而降低了开关损耗
• 符合RoHS标准
典型应用
• 计算机
• 通讯
• 通用负载点
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用级联优化 MOSFET，是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装，具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管，TO-247-4型号：NVH4L050N170M1封装：TO-247-4类型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数：FET 类型：N 通道技术：SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）：1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询：86-755-83294757
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