SCT025W120G3AG 碳化硅功率 MOSFET 器件采用 ST 先进创新的第 3 代 SiC MOSFET 技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有极低的 RDS（on） 以及低电容和极高的开关操作，从而提高了应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
SCT025W120G3AG 的特性：
• 符合 AEC-Q101 标准
• 在整个温度范围内具有极低的 RDS（on）
• 高速开关性能
• 非常快速和稳健的本征体二极管
• 非常高的工作结温能力 （TJ = 200 °C）
应用：
• 主逆变器（电力牵引）
• EV/HEV 用 DC/DC 转换器
• 车载充电器 （OBC）
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STB120NF10T4是意法半导体推出的 N沟道增强型功率MOSFET，属于 STripFET™ II 系列，采用 TO-263-3（D2PAK）封装，适用于高电流、高耐压 应用场景。电话咨询：86-755-83294757
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