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IRFH5215TRPBF 器件是一款采用 PQFN 5x6 封装的 150V 单通道 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET。该系列针对低 RDS（on） 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合需要高性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合适用于广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 转换器。

IRFH5215TRPBF 的规格：

产品种类：MOSFET

技术：Si

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：PQFN-8

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：150 V

Id-连续漏极电流：27 A

Rds On-漏源导通电阻：58 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压：5 V

Qg-栅极电荷：21 nC

工作温度：- 55°C 至 + 150°C

Pd-功率耗散：3.6 W

通道模式：Enhancement

封装：Reel

封装：Cut Tape

封装：MouseReel

商标：Infineon Technologies

配置：Single

下降时间：2.9 ns

正向跨导 - 最小值：21 S

高度：0.83 mm

长度：6 mm

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