IPA60R099P7:600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET —— N-沟道功率 MOSFET 晶体管
IPA60R099P7 是 600V,CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 晶体管,该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G),确保高效率。
IPA60R099P7——产品属性:
系列:CoolMOS™ P7
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):99 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 530µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):45 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1952 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):29W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO220-FP
封装/外壳:TO-220-3
型号
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描述
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