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STGB19NC60KDT4是一款高性能绝缘栅双极晶体管（IGBT），属于 600V IGBT with Trench Technology 系列。该芯片集成了一个 600V、20A 的 IGBT 和一个反向并联的快速恢复二极管，采用 D2PAK 封装。这些器件是采用先进的 PowerMESH™ 技术开发的超高速 IGBT。这种工艺保证了开关性能和低导通行为之间的出色权衡。

功能——STGB19NC60KDT4

低导通压降 (VCE(sat))

CRES / CIES 比率低（无交叉传导电感）

短路耐压时间 10 μs

与超高速续流二极管共同封装的 IGBT

规格——STGB19NC60KDT4

产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

技术: Si

封装 / 箱体: D2PAK-3

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 2 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流: 35 A

Pd-功率耗散: 125 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: STGB19NC60KDT4

集电极最大连续电流 Ic: 35 A

高度: 4.6 mm

长度: 10.4 mm

应用——STGB19NC60KDT4

高频逆变器

电机驱动器

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