STGSH50M120D器件将两个 IGBT 和二极管组合在半桥拓扑结构中，安装在一个非常紧凑、坚固、易于表面安装的封装上。该器件的导通和开关损耗均针对硬开关换向进行了优化，其中短路耐用性是一项基本特性。每个开关中都包含一个具有低压降正向电压的续流二极管。其结果是，这款产品经过专门设计，可最大限度地提高工业驱动器的效率和功率密度。
特征
• 低损耗和短路坚固型 IGBT
• 最高结温：TJ = 175 °C
• VCE（sat） = 1.8 V（典型值）@ IC = 50 A
• 最小化尾流
• 紧凑的参数分布
• 低热阻
• 正 VCE（sat） 温度系数
• 软和快速恢复反并联二极管
• 隔离额定值为 3.4 kVrms/min
应用
电机驱动
工业电机控制
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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