HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。
HMC7911LP5E采用RF放大器工作,前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。HMC7911LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。
HMC7911LP5E具有以下主要特性:
转换增益:18 dB(典型值)
边带抑制:30 dBc(典型值)
针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率:2 dBm(典型值)
输出三阶交调截点(OIP3):33 dBm(典型值)
RFOUT上2倍本振(LO)泄漏:10 dBm(典型值)
IF输入端2倍LO泄漏:-25 dBm(典型值)
RF回波损耗:13 dB(典型值)
LO回波损耗:10 dB(典型值)
32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装
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