RMLV1616AGBG-4U2 是一个 16-Mbit 异步 SRAM 系列,具有 1,048,576 字 × 16 位。
RMLV1616AGBG-4U2 采用独特的先进 LPSRAM 技术,与采用片上 ECC 的典型 SRAM 相比,具有更高的软抗错能力。因此,它适用于电池备份系统。
它采用 48 球精细间距球栅阵列。
RMLV1616AGBG-4U2 的特点
超低待机电流消耗:
- ~25°C: 0.5μA(典型值)/3μA(最大值)
- ~85°C: 4.5μA(典型值)/8μA(最大值)
高速访问时间: 45ns/55ns(最大值)
与带片上 ECC 的典型 SRAM 相比,具有更高的软错误抗扰度(< 0.04 FIT/Mb)*1
单路 3V 电源: 2.7V 至 3.6V
1,048,576 字 × 16 位(48 引脚 TSOP (I) 也可配置为 2,097,152 字 × 8 位)
通过 CS1# 和 CS2 可轻松扩展存储器
无时钟、无刷新
通用数据输入和输出
- 三态输出
直接与 TTL 兼容
- 所有输入和输出
备用电池操作
采用无铅和 RoHS 适用封装
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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