IDH08G65C6是一款碳化硅肖特基二极管,具有极高的效率和性价比。IDH08G65C6采用CoolSiC™技术,结合了薄晶圆技术和全新肖特基金属系统,能够在各种负载条件下表现出更高的效率。
技术参数
产品:IDH08G65C6
封装 / 箱体:TO-220-2
配置:Single
If - 正向电流:20 A
Vrrm - 重复反向电压:650 V
Vf - 正向电压:1.25 V
Ifsm - 正向浪涌电流:47 A
Ir - 反向电流 :800 nA
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
系列:XDH08G65
Pd-功率耗散:63 W
产品类型:SiC Schottky Diodes
Vr - 反向电压 :650 V
单位重量:2 g
应用领域
IDH08G65C6适用于需要高效率和高可靠性的应用场景,如高频开关电路和高性能能量转换解决方案。其优秀的性能使其成为这些应用中的理想选择。
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