FP35R12W2T7P器件是一款1200 V, 35 A PIM IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、第7代发射极控制二极管，内置NTC。
技术参数
产品：FP35R12W2T7P
配置：PIM
集电极—发射极最大电压 VCEO：1.2 kV
集电极—射极饱和电压：1.6 V
在25 C的连续集电极电流：35 A
栅极—射极漏泄电流：100 nA
Pd-功率耗散：20 mW
封装 / 箱体：EasyPIM 2B
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 175 C
安装风格：Screw Mount
产品类型：IGBT Modules
FP35R12W2T7P适用于逆变器应用，包括通用驱动器、牵引、伺服装置和可再生能源发电（如光伏逆变器或风电应用）。
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BTS5210G
BTS5210G是一款 双通道智能高侧电源开关，采用 SIPMOS 技术 集成 N 沟道垂直功率 MOSFET，适用于 12V 和 24V 接地负载 的电源管理应用。电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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