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HMC521ALC4TR是一款结构紧凑的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）同相正交（I/Q）混频器，采用符合 RoHS 规范的 24 端子陶瓷无引线芯片载体（LCC）封装。该器件既可用作图像抑制混频器，也可用作单边带上变频器。混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个 90° 混合耦合器，采用砷化镓金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造。该器件体积更小，可替代混合式图像抑制混频器和单边带上变频组件。HMC521ALC4TR无需接线，因此可以使用表面贴装制造技术。

HMC521ALC4TR特点

下变频器，8.5 GHz 至 13.5 GHz

转换损耗： 典型值：9 dB

图像抑制：典型值 27.5 dBc

LO 与射频隔离 典型值：39 dB

输入 IP3：典型值 16 dBm

宽 IF 带宽：直流至 3.5 GHz

3.9 mm × 3.9 mm、24 端子 LCC 封装：16 mm²

HMC521ALC4TR应用

微波和甚小口径终端 (VSAT) 无线电设备

测试设备

军用电子战 (EW)；电子对抗 (ECM)；电子

电子对抗 (ECM) 以及指挥、控制、通信和情报 (C3I)

通信和情报 (C3I)

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