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HMC525ALC4是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ALC4为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。

HMC525ALC4特性

无源：无需直流偏置

转换损耗：8 dB（典型值）

输入IP3：20 dBm（典型值）

LO至RF隔离：47 dB（典型值）

IF频率范围：DC至3.5 GHz

符合RoHS标准的24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装

HMC525ALC4技术参数

射频: 4 GHz to 8.5 GHz

转换损失——最大: 11 dB

NF—噪声系数: 8 dB

LO频率: 4 GHz to 8.5 GHz

中频: DC to 3.5 GHz

最大工作温度: + 85 C

最小工作温度: - 40 C

OIP3 - 三阶截点: 20 dBm

P1dB - 压缩点: 13 dBM

HMC525ALC4应用

微波和甚小孔径终端无线电

测试设备

点对点无线电

军事电子战、电子对抗、以及指挥、控制、通信和情报

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