TPS2400DBVR过压保护控制器与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用,可将敏感电子元件与破坏性电压尖峰和浪涌隔离开来。它专门用于防止与汽车环境(负载转储)相关的大瞬态电压损坏敏感电路。当 TPS2400DBVR 检测到潜在的破坏性电压水平时,会在发生任何损坏之前将电源与负载断开。
内部电路包括微调带隙基准、振荡器、齐纳二极管、充电泵、比较器和控制逻辑。TPS2400 器件专为与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用而设计,这种 MOSFET 有多种电压可供选择。
TPS2400DBVR的特性
高达 100 V 的过压保护
6.9 V 过压关断阈值
3 V 欠压关断阈值
过压关断时间小于 1 µs
由外部 N 沟道 MOSFET 驱动
内部充电泵驱动
1 mA 最大静态电源电流
5 引脚 SOT-23 封装
-40°C 至 85°C 环境温度范围
2.5 kV 人体模型,500 V CDM
静电放电保护
TPS2400DBVR的参数
应用:过压保护控制器
电压 - 供电:3.1V ~ 6.8V
电流 - 供电:1 mA
工作温度:-40°C ~ 85°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74A,SOT-753
供应商器件封装:SOT-23-5
TPS2400DBVR的应用
手机
掌上电脑
便携式电脑
媒体播放器
数码相机
GPS
型号
品牌
封装
数量
描述
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