商品名称：LC88FC2F0BUTJ-2H
数据手册：
LC88FC2F0BUTJ-2H.pdf
品牌：ON
年份：23+
封装：100-TQFP
货期：全新原装
库存数量：3000 件
LC88FC2F0BUTJ-2H 16 位 12MHz 512KB 闪存微控制器 IC 100-TQFP
功能特点
16 通道 12 位分辨率 AD 转换器
红外线遥控器接收电路
CRC 操作电路
内部复位功能
多频 12 位 PWM 模块
16 通道 12 位分辨率 AD 转换器
看门狗定时器
红外线遥控器接收电路
CRC 操作电路
实时时钟
系统时钟分频器
CF 振荡器电路、晶体振荡器电路、RC 振荡器电路
61 源 14 向量中断功能
片上调试器功能
应用
家用音响
白色家电
型号
品牌
封装
数量
描述
Renesas
FBGA-320
2000
ARM® Cortex®-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 600MHz ROMless 320-LFBGA（17x17）
Renesas
FBGA-320
2000
ARM® Cortex®-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 300MHz ROMless 320-LFBGA（17x17）
Renesas
FBGA-320
2000
ARM® Cortex®-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 450MHz ROMless 320-LFBGA（17x17）
Renesas
FBGA-320
2000
ARM® Cortex®-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 600MHz ROMless 320-LFBGA（17x17）
Microchip
28-UQFN
1200
MIPS32® microAptiv™ PIC® 32MM 微控制器 IC 32 位单核 25MHz 128KB（128K x 8） 闪存 28-UQFN（4x4）
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用级联优化 MOSFET，是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装，具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管，TO-247-4型号：NVH4L050N170M1封装：TO-247-4类型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数：FET 类型：N 通道技术：SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）：1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询：86-755-83294757
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