商品名称:EFM8BB31F16G-D-QFP32R
数据手册:EFM8BB31F16G-D-QFP32R.pdf
品牌:SILICON
年份:23+
封装:32-TQFP
货期:全新原装
库存数量:1000 件
EFM8BB31F16G-D-QFP32R属于 Busy Bee 系列 MCU,是一个高性能的 8 位微控制器系列,采用小型封装,具有全面的模拟和数字功能集。这些器件集成了 12 位模数转换器、内部温度传感器和多达四个 12 位数字量转换器,具有最先进的性能。温度传感器和多达 4 个 12 位 DAC,使其成为通用应用的理想之选。EFM8BB31F16G-D-QFP32R采用高效的流水线 8051 内核(最大工作频率为 50 MHz)、各种通信接口和四通道可配置逻辑,是许多嵌入式应用的最佳选择。
产品属性
核心处理器:CIP-51 8051
内核规格:8 位
速度:50MHz
连接能力:I²C,SMBus,SPI,UART/USART
外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
I/O 数:28
程序存储容量:16KB(16K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:-
RAM 大小:2.25K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2.2V ~ 3.6V
数据转换器:A/D 20x12b;D/A 2x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:32-TQFP
供应商器件封装:32-QFP(7x7)
应用
• 消费电子产品
• 精密仪器
• 电源管理和控制
• 工业控制和自动化
• 智能传感器
• 汽车控制
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore™ TC17xx 微控制器 IC 32 位单核 240MHz 4MB(4M x 8) 闪存 PG-LFBGA-292-6
Microchip
LQFP-176
2000
MIPS32® microAptiv™ PIC32MZDA 微控制器 IC 32 位单核 200MHz 2MB 闪存 176LQFP
Microchip
LQFP-176
2000
MIPS32® microAptiv™ PIC32MZDA 微控制器 IC 32 位单核 200MHz 1MB 闪存 176LQFP
Microchip
TQFP-144
2000
MIPS32® microAptiv™ PIC32MZEC 微控制器 IC 32 位单核 200MHz 1MB 闪存 144TQFP
Microchip
QFN-64
2000
MIPS32® M-Class PIC32MZEF 微控制器 IC 32 位单核 180MHz 2MB 闪存 64QFN
Microchip
QFN-64
1500
MIPS32® M-Class PIC32MZEF 微控制器 IC 32 位单核 180MHz 2MB 闪存 64QFN
Microchip
TFBGA-144
1000
MIPS32® M-Class PIC32MZEF 微控制器 IC 32 位单核 180MHz 512KB 闪存 144TFBGA
Microchip
QFN-64
2000
MIPS32® M-Class PIC32MZEF 微控制器 IC 32 位单核 180MHz 1MB 闪存 64QFN
Microchip
LQFP-144
2000
MIPS32® M-Class PIC32MZEF 微控制器 IC 32 位单核 180MHz 2MB 闪存 144LQFP
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Silicon Labs是由Nav Sooch、Dave Welland和Jeff Scott在1996年于美国德州奥斯汀 (Austin, Texas) 成立,专门开发世界级的混合信号器件。Silicon 公司已成为营运、销售和设计活动遍及世界各地资本额约5亿美元的上市跨国公司,并且在各种混合信号产品领域居于领先地位。
EFM8LB12F32ES0-C-QFN24R
EFM8LB12F32ES0-C-QFN24R高性能 8 位微控制器,属于 Laser Bee 系列。EFM8LB12F64ES0-C-QFN32R
EFM8LB12F64ES0-C-QFN32R:Laser Bee 系列MCU——8位微控制器IC,QFN-32型号:EFM8LB12F64ES0-C-QFN32R封装:QFN-32类型:Laser Bee 系列MCU——8位微控制器IC概述:EFM8LB12F64ES0-C-QFN32R Laser Bee 系列微控制器是一个高性能 8 位微控制器系列,采用小型封装,具有全…SIWG917Y121MGABA
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SI8441BB-D-IS1R的超低功耗数字隔离器是 CMOS 器件,与传统隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。在整个使用寿命期间,这些产品的工作参数在宽温度范围内保持稳定。为了便于设计,只需要 VDD 旁路电容器。支持高达…SIWG917Y111MGN
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