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S29GL01GS10DHI013是一款高性能1Gb并行NOR闪存芯片，采用64-FBGA封装，工作电压范围2.7V~3.6V，具有100ns的快速访问时间和60ns的写周期时间，专为需要高速数据存储和读取的嵌入式系统设计。

S29GL01GS10DHI013 产品特性

高性能存储：

1Gb(64M x 16)大容量存储结构

并行接口设计，支持高速数据传输

100ns快速访问时间，60ns字/页写周期时间

可靠性与耐用性：

采用NOR Flash技术，提供快速随机读取能力

支持CFI(通用闪存接口)标准

工业级温度范围(-40°C~85°C)

电源管理：

宽电压工作范围(2.7V~3.6V)

低功耗设计，适合便携式应用

S29GL01GS10DHI013 产品属性

产品种类: NOR闪存

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: FBGA-64

系列: S29GL01G/512/256/128S

存储容量: 1 Gbit

电源电压-最小: 2.7 V

电源电压-最大: 3.6 V

有源读取电流（最大值）: 60 mA

接口类型: Parallel

组织: 64 M x 16

数据总线宽度: 16 bit

定时类型: Asynchronous

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

应用领域

S29GL01GS10DHI013广泛应用于：

嵌入式系统程序存储

网络通信设备

工业控制系统

汽车电子

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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