S29GL01GS11DHIV10是一款高性能1Gb并行NOR闪存芯片,采用64-FBGA封装(9mm×9mm),工作电压范围2.7V~3.6V,具有110ns的快速访问时间和60ns的写周期时间,专为需要高速数据存储和读取的嵌入式系统设计。
S29GL01GS11DHIV10核心特性
存储容量:1Gb(64M x 16位或128M x 8位可配置)
高性能接口:并行接口,110ns快速访问时间,60ns字/页写周期时间
宽电压工作:2.7V~3.6V工作电压范围,兼容低功耗设计
工业级可靠性:工作温度范围-40°C至85°C,适合严苛环境
先进架构:支持异步操作和页面模式(32字节页面)
技术优势
采用65nm MirrorBit® Eclipse™技术制造
支持通用闪存接口(CFI)标准
提供底部/顶部引导块配置选项
集成状态寄存器和数据轮询功能
支持高级扇区保护机制
S29GL01GS11DHIV10产品属性
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
存储容量:1Gb
存储器组织:64M x 16
存储器接口:并联
写周期时间 - 字,页:60ns
访问时间:110 ns
电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:64-LBGA
供应商器件封装:64-FBGA(9x9)
S29GL01GS11DHIV10典型应用
嵌入式系统程序存储
网络通信设备
工业控制系统
汽车电子
型号
品牌
封装
数量
描述
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