S80KS2563GABHV020 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,具有 xSPI(八进制)接口。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 xSPI 接口主控器(主机)不主动读写存储器时,器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机不需要管理任何刷新操作,因此在主机看来,DRAM 阵列就好像内存使用了无需刷新即可保留数据的静态单元。因此,将该存储器称为伪静态 RAM(PSRAM)更为准确。
S80KS2563GABHV020 的产品属性
存储器类型:易失性
存储器格式:PSRAM
技术:PSRAM(伪 SRAM)
存储器大小:256Mbit
存储器组织:32M x 8
存储器接口:SPI - 八进制 I/O
时钟频率:200 MHz
写入周期时间 - 字、页:35ns
访问时间:35 ns
电压 - 电源:1.7V ~ 2V
工作温度:-40°C ~ 105°C (TA)
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