欢迎来到深圳市明佳达电子有限公司

IMZ120R060M1H：采用TO247-4封装的1200V，CoolSiC™沟槽式碳化硅 MOSFET 晶体管

基本信息：

型号：IMZ120R060M1H

封装：TO-247-4

类型：CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 晶体管

概述：

IMZ120R060M1H 是采用TO247-4封装的1200V、60mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

IMZ120R060M1H 产品属性：

系列：CoolSiC™

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：78 毫欧 @ 13A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：31 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1060 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO247-4-1

封装/外壳：TO-247-4

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

• 2.公司商品都是原装正品吗？

  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

• 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

• 4.我可以通过公司网站进行询价吗？

  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

• 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

• 6.公司能开发票吗？

  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。