IPD047N03LF2S 采用 StrongIRFET™ 2 30 V 功率 MOSFET 技术，具有同类最佳的 4.7 mOhm RDS(on)，采用 DPAK 封装。该产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。
IPD047N03LF2S 的特点
通用产品
卓越的稳健性
卓越的性价比
分销商供货范围广
标准封装和引脚布局
高制造和供应标准
IPD047N03LF2S 的优点
应用广泛
性能可靠
高质量和有竞争力的价格
方便选择和采购
易于设计
简化的产品服务
IPD047N03LF2S 的应用
电池管理系统 (BMS)
消费类电子产品
充电式电动工具和户外电动设备
工业电机驱动和控制
多旋翼飞行器和无人机
型号
品牌
封装
数量
描述
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S6E2H46G0AGB3000A：FM4 S6E2H系列MCU——160MHz，32位单核 Arm Cortex-M4微控制器（MCU），FBGA-121型号：S6E2H46G0AGB3000A封装：FBGA-121类型：32位单核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 产品属性：核心处理器：ARM Cortex-M4F内核规格：32 位单核速度：160MHz连接能力：C…
2EDN8534F
2EDN8534F是英飞凌一款双通道5A栅极驱动器IC，属于EiceDRIVER™ 2EDN系列，专为驱动标准MOSFET、超结MOSFET及宽禁带（WBG）功率开关器件（如SiC、GaN）而优化。
IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER™ 600 V 高、低压侧栅极驱动器 IC，典型源电流为 1.9 A，灌电流为 2.3 A，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF属于EiceDRIVER™ 600 V 高压侧和低压侧栅极驱动器 IC，具有典型的 4 A 源电流和 4 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 双通道智能高侧电源开关，采用 SIPMOS 技术 集成 N 沟道垂直功率 MOSFET，适用于 12V 和 24V 接地负载 的电源管理应用。电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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