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产品分类

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图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：STL26N60DM6

商品名称：N-通道功率MOSFET

品牌：ST

年份：21+

封装：PowerFLAT 8x8

货期：全新原装

库存数量：3000 件

数量:
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公司名称：

技术参数

制造商
ST
型号
STL26N60DM6
封装
PowerFLAT 8x8
描述
N沟道600 V、175 mOhm典型值、15 A MDmesh DM6功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装

产品描述

STL26N60DM6 N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分。与之前的MDmesh快速一代相比，DM6结合了非常低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr）和单位面积RDS（on）的显著提高，以及市场上最有效的开关行为之一，适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。


STL26N60DM6所有功能
快速恢复体二极管
与上一代相比，每个区域的RDS（开启）更低
低栅极电荷、输入电容和电阻
100%雪崩测试
极高的dv/dt坚固性

齐纳保护


STL26N60DM6产品属性
产品种类: MOSFET
封装 / 箱体: PowerFLAT-8x8-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 215 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.25 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Reel
配置: Single
下降时间: 8 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
系列: STx26
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 39 ns

典型接通延迟时间: 13 ns


STL26N60DM6应用
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