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LT4351IMS采用外部单个或背对背 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。该理想二极管部件实现了多种电源的低损耗型 “或” 处理。可以容易地将电源 “或” 连接在一起，以增加总系统功率并提升可靠性，而对电源电压或效率的影响则极小。能够有效地将不同类型的电源 “或” 连接在一起。

该 IC 负责监视相对于负载的输入电源电压，并在输入电源电压较高时接通 MOSFET。如果 MOSFET 的接通电阻 RDS(ON) 足够地小，则 LT4351IMS将把 MOSFET 两端的电压调节至 15mV。一个 STATUS 引脚用于指示 MOSFET 导通状态。

一个内部升压型稳压器负责产生 MOSFET 栅极驱动电压。低工作电压允许对低至 1.2V 的电源进行 “或” 处理。

在欠压或过压条件下，LT4351 将停用电源通路。这些电压由 UV 和 OV 引脚上的阻性分压器来设定。欠压门限具有可由用户来设置的迟滞。对过压检测电路进行了滤波处理，旨在抑制误触发现象。

LT4351IMS采用 10 引脚 MSOP 封装。

LT4351IMS的应用

并联电源

不间断电源

高可用性系统

N + 1 冗余电

LT4351IMS的特性

多种供电电源中 “或” 二极管的低损耗型替代方案

外部 N 沟道 MOSFET 以实现高电流提供能力

用于提供 MOSFET 栅极驱动的内部升压型稳压器

宽输入范围：1.2V 至 18V

快速开关 MOSFET 栅极控制

输入欠压和过压检测

用于提供监视功能的 STATUS 和 FAULT 输出

内部 MOSFET 栅极箝位

采用 10 引脚 MSSOP 封装

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