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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:LM5108DRCR

商品名称:栅极驱动器

品牌:TI

年份:25+

封装:VSON-10

货期:全新原装

库存数量:9000

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技术参数

制造商
TI
型号
LM5108DRCR
封装
VSON-10
描述
具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

产品描述

LM5108DRCR是一款高频半桥栅极驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥配置的拓扑(例如同步降压、全桥、有源钳位正激式、LLC 和同步升压)中控制两个 N 沟道 MOSFET。


LM5108DRCR器件具有互锁功能,可以在两个输入都处于高电平时防止两个输出同时处于高电平。该互锁功能可提高电机驱动器和电动工具应用中的系统稳健性。使用启用和禁用功能,可以灵活、快速地控制功率级。电池供电的工具也可以使用 LM5108DRCR 的功能来减小待机电流和响应系统故障。输入与电源电压无关,并且可以具有独立的脉宽。这样即可实现极高的控制灵活性。输入和使能都具有足够的迟滞,可以在电机驱动器等易受噪声影响的应用中提高系统稳健性。


低侧和高侧输出在彼此的接通和关断之间实现了低至 1ns 的匹配。这样即可优化死区时间,进而提高效率。5V UVLO 允许驱动器使用更低的偏置电源运行,进而允许功率级以更高的开关频率运行且不会增加开关损耗。VDD 和 HB UVLO 阈值规格设计为使高侧和低侧驱动器通常在 5V 电压时接通。如果 VDD 和 HB UVLO 阈值相同,则设计器需要高于 VDD UVLO 阈值的偏置电源才能同时接通高侧和低侧驱动器。


板载自举二极管无需使用外部分立式二极管,因此提高了布板空间利用率。小型封装支持紧凑型电源设计,例如电动工具。


LM5108DRCR的特性

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET

采用 3mm × 3mm 封装

互锁或跨导保护

启用/禁用功能

HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–7V)

5V 典型欠压锁定

20ns 典型传播延迟

1000pF 负载时的上升时间为 11ns,下降时间典型值为 8ns

1ns 典型延迟匹配

2.6A 灌电流,1.6A 拉电流输出

绝对最大启动电压为 110V

禁用时消耗的电流很低 (7µA)

集成式自举二极管


LM5108DRCR的应用

• 电机驱动器和电动工具

• 开关模式电源

• 辅助逆变器

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型号

品牌

封装

数量

描述

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德州仪器(Texas Instruments),简称TI,是全球领先的半导体公司,为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外,还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国德克萨斯州的达拉斯,并在25多个国家设有制造…

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