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LCMXO2-640ZE-2MG132I 采用 65 纳米非易失性低功耗工艺设计。该器件架构具有多种特性，例如可编程低摆幅差分 I/O，以及动态关闭 I/O 组、片上 PLL 和振荡器的能力。

LCMXO2-640ZE-2MG132I MachXO2™ 系列超低功耗、瞬时导通、非易失 PLD 有六款器件，密度从 256 到 6864 个查找表 (LUT)。

产品特性

六个器件，具有 256 至 6864 个 LUT4 和 18 至 334 个 I/O

先进的 65 纳米低功耗工艺

待机功耗低至 22 μW

可编程低摆幅差分 I/O

待机模式和其他省电选项

高达 240 kbits sysMEM™ 嵌入式块 RAM

高达 54 kbits 的分布式 RAM

高达 256 kb 的用户闪存

施密特触发器输入，滞后高达 0.5 V

I/O 支持热插拔

片上差分终端

可编程上拉或下拉模式

八个主时钟

用于高速 I/O 接口的多达两个边缘时钟

每个器件最多两个模拟 PLL，具有分数-n 频率合成功能

宽输入频率范围（7 MHz 至 400 MHz）

片上加固功能： SPI、I2C、定时器/计数器

精度为 5.5% 的片上振荡器

产品属性

系列： MachXO2  

LAB/CLB 数： 80  

逻辑元件/单元数： 640  

总 RAM 位数：18432  

I/O 数： 79  

电压 - 供电： 1.14V ~ 1.26V  

安装类型： 表面贴装型  

工作温度： -40°C ~ 100°C（TJ）  

封装/外壳： 132-LFBGA，CSPBGA  

供应商器件封装： 132-CSPBGA（8x8）  

基本产品编号：LCMXO2-640

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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