S70FL01GSAGBAEC13是 Infineon 生产的一款 NOR FLASH 存储器,具有高可靠性和抗辐射性能。它采用了专利技术 RADSTOP™ ,能够在高辐射环境中保持稳定工作,减少比特错误的发生。
S70FL01GSAGBAEC13具有以下关键参数:
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR(SLC)
存储容量:1Gb
存储器组织:128M x 8
存储器接口:SPI - 四 I/O
时钟频率:133 MHz
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:6.5 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-TBGA
此外,S70FL01GSAGBAEC10的接口带宽为66MB/s,接口频率为133MHz,采用Quad SPI接口,适用于需要高速数据传输的应用场景,应用包括嵌入式系统、工业控制、汽车电子等。
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TLE49604-4M-S2是由 Infineon 制造的一款XENSIV™磁性开关产品,可测量Z方向上与PCB方向正交的磁场。该传感器具有可提供速度信息的开漏输出。此外,TLE49604-4M-S2根据ISO 26262标准开发,具有内置诊断功能,以支持符合ASIL B要求的功能安全应用。TLE49604-4M-S2具有以下…TLE49604-2M-S2
TLE49604-2M-S2是一款XENSIV™第四代磁传感器,专为测量与印刷电路板垂直的Z方向磁场设计,并且拥有可提供速度信息的开漏输出。TLE49604-2M-S2严格按照ISO 26262标准开发,集成了诊断功能,可支持最高达到ASIL B级要求的功能安全应用,应用包括车窗调节器、天窗执行器、座…电话咨询:86-755-83294757
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