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Micron LPDDR4内存优化用于解决电池供电应用中的功耗问题。与DDR4相比，这些内存器件的峰值带宽快33%。与标准DRAM相比，LPDDR4内存在待机模式下的功耗降低至1/5。这些内存器件采用多芯片封装（MCP）和封装体叠层（PoP）设计，可节省PCB空间。LPDDR4内存器件优化了x16、x32和x64配置，可为某些应用节省BOM。LPDDR4内存在性能、功耗、延迟和物理空间之间实现了完美平衡，因此非常节能。这些LPDDR4内存器件适合用于手持设备、电池供电应用和超便携设备。

特征

•超低电压核心和I/O电源

–VDD1=1.70–1.95V；标称1.80V

–VDD2=1.06–1.17V；1.10V标称

–VDDQ=1.06–1.17V；1.10V标称或低VDDQ=0.57–0.65V；标称0.60V

•频率范围

–2133–10 MHz（数据速率范围：4266–20 Mb/s/引脚）

•16n预取DDR体系结构

•每个通道8个内部银行，用于并行操作

•单一数据速率CMD/ADR输入

•每个字节通道的双向/差分数据选通

•可编程读取和写入延迟（RL/WL）

•可编程和动态突发长度（BL=16,32）

•针对每个银行进行定向刷新，以实现银行的并行操作和易于指挥的调度

•每个裸片高达8.5 GB/s

•片上温度传感器，用于控制自刷新率

•部分阵列自刷新（PASR）

•可选输出驱动强度（DS）

•时钟停止功能

•符合RoHS，“绿色”包装

•可编程VSS（ODT）终端

•单端CK和DQS支持

•AEC-Q100

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