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HMC849ALP4CE是一款高隔离非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT开关，采用低成本无引脚表贴封装。 该开关非常适合蜂窝/WiMAX/4G基础设施应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+52 dBm的输入IP3。 在最高5 - 6 GHz WiMAX频段内，该器件具有很高的功率处理能力，另外提供+31 dBm的P1dB压缩点性能。 片内电路可在极低直流电流下实现0/+3V或0/+5V单正电压控制。 使能输入(EN)设为逻辑高电平可将该开关置于“全关”状态。

HMC849ALP4CE 的特性：

高隔离度： 最高60 dB

单正控制电压： 0/+3V至+5V

高输入IP3： +52 dBm

非反射式设计

“全关”状态

16引脚4x4mm SMT封装： 16mm²

典型应用

HMC849ALP4CE 适用于：

蜂窝/4G基础设施

WiMAX、WiBro与固定无线

汽车远程信息系统

移动无线电

测试设备

HMC849ALP4CE 技术参数：

开关配置: SPDT

最小频率: 0 Hz

最大频率: 6 GHz

介入损耗: 1.8 dB

关闭隔离—典型值: 50 dB

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: QFN-16

技术: GaAs

系列: HMC849

开关数量: Dual

工作电源电流: 1.3 mA

Pd-功率耗散: 969 mW

电源电压-最大: 5 V

电源电压-最小: 3 V

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