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RMLV1616AGSA-4U2是一款16Mb、超低功耗SRAM（超LP SRAM）器件，由Renesas公司推出，它能够为工厂自动化（FA）、工业设备、智能电网等应用提供更出色的可靠性并延长备用电池的使用寿命。

核心参数

存储器类型：易失

存储器格式：SRAM

技术：SRAM - 异步

存储容量：16Mb

存储器组织：1M x 16，2M x 8

存储器接口：并联

写周期时间 - 字，页：45ns

访问时间：45 ns

电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：48-TSOP

性能特点

RMLV1616AGSA-4U2采用瑞萨独有的超LP SRAM技术，大幅提升了抗软失效能力，实现了更良好的可靠性。在瑞萨超LP SRAM的结构方面，存储单元中的每个存储节点都结合了堆叠电容技术，从根本上预防了软失效的出现。此外，每个SRAM单元的负载晶体管（P沟道）为多晶硅薄膜晶体管（TFT），堆叠于硅基板的N沟道MOS晶体管之上。在硅基板下方仅形成N沟道晶体管，这样可确保存储区内不形成寄生晶闸管，并从理论上杜绝闩锁效应。因此，对于需要严格保证高水平可靠性的应用环境（如：工厂自动化、测量设备、智能电网相关设备、交通系统、工业设备等）而言，RMLV1616AGSA-4U2超LP SRAM可谓理想之选。

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