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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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商品型号:IPB180N06S4-H1

商品名称:汽车 MOSFET

品牌:INFINEON

年份:25+

封装:PG-TO263-7

货期:全新原装

库存数量:5000

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技术参数

制造商
INFINEON
型号
IPB180N06S4-H1
封装
PG-TO263-7
描述
汽车MOSFET——60V、OptiMOS™ -T2 功率晶体管,PG-TO263-7

产品描述

IPB180N06S4-H1(汽车MOSFET):60V、N通道、OptiMOS™ -T2 功率晶体管,PG-TO263-7


产品详情:

型号:IPB180N06S4-H1

封装:PG-TO263-7

类型:汽车 MOSFET 晶体管


IPB180N06S4-H1 产品属性:

系列:OptiMOS™

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.7 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):270 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):21900 pF @ 25 V

功率耗散(最大值):250W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-TO263-7-3

封装/外壳:TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)


IPB180N06S4-H1 产品特性:

N沟道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 标准

MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值

工作温度为 175°C

100% Avalanche 测试

超低 RDS(on)

支持 PPAP 的设备


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    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

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    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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