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DRV8161DGSR：105V、单通道半桥智能栅极驱动器，VSSOP-20

型号：DRV8161DGSR

封装：VSSOP-20

类型：半桥智能栅极驱动器

DRV8161DGSR 是半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。栅极驱动电压由 GVDD 电源引脚生成，集成自举电路用于驱动漏极电压高达 102V 的高侧 FET。智能栅极驱动架构支持高达 1A 拉电流和 2A 灌电流的 16 电平（48 种组合）栅极驱动峰值电流，以及内置的栅极驱动电流时序控制。

DRV8161DGSR 产品特性：

可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET

高侧 MOSFET 源极/漏极电压高达 102V（绝对最大值）

8V (5V DRV8162L) 至 20V 栅极驱动电源

集成式自举二极管

具有集成式涓流电荷泵，支持 100% PWM 占空比

16 电平栅极驱动峰值电流

16mA - 1000mA 拉电流

32mA - 2000mA 灌电流

拉电流/灌电流比 1:1、1:2、1:3

可调 PWM 死区时间插入 20ns - 900ns

电机相位 (SH) 开关的可靠设计

压摆率 50V/ns

负瞬态电压 -20V

2A 强栅极下拉

双路栅极驱动电源输入可实现冗余关断（DRV8162、DRV8162L）

低失调电流检测放大器 (DRV8161)

可调增益（5、10、20、40V/V）

灵活的 PWM 控制接口；2 引脚 PWM、1 引脚 PWM 和独立 PWM 模式

13 电平 VDS 过流阈值

独立关断引脚 (nDRVOFF)

栅极驱动器软关断序列

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