S29GL512T12TFVV20是采用45纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。该系列器件具备15纳秒的快速页面访问时间,随机访问时间可达100纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想选择,可满足更高密度、更优性能及更低功耗的需求。
S29GL512T12TFVV20特性
• 45纳米MIRRORBIT™技术
• 读/编程/擦除单电源供电(VCC:2.7V至3.6V)
• 多功能I/O特性
- 宽I/O电压范围(VIO):1.65V至VCC
• ×8/×16数据总线
• 异步32字节页读取
• 512字节编程缓冲区
- 支持页倍数编程,最大512字节
• 单字节与多字节同字节编程选项
• 自动错误检查与纠错(ECC)——内置硬件ECC支持单比特错误纠正
• 扇区擦除
- 统一128KB扇区
• 支持编程与擦除操作的暂停/恢复指令
• 通过状态寄存器、数据轮询及就绪/忙引脚判断设备状态
• 高级扇区保护(ASP)
- 每扇区支持易失性与非易失性保护模式
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…S29GL01GS10FAI013
S29GL01GS10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL512S10FAI013
S29GL512S10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13是采用45纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。该系列器件具备15纳秒的快速页面访问时间,随机访问时间可达100纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想选择,可满足更高…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…电话咨询:86-755-83294757
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