深圳市明佳达电子公司推出进口原装ISSI 4GBit DDR3 SDRAM IS46TR16256BL-125KBLA1 动态随机存取存储器,有意者请咨询陈先生:QQ1668527835,电话13410018555,邮箱chen13410018555@163.com!
深圳市明佳达电子公司推出进口原装ISSI 4GBit DDR3 SDRAM IS46TR16256BL-125KBLA1 动态随机存取存储器
制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
批次:新23+
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb 并联 800 MHz 20 ns 96-TWBGA(9x13)
特征
标准电压: VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低电压(L): VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 向后兼容至1.5V
高速数据传输率,系统频率高达1066 MHz
8个内部库,可同时运行
8n-位预取结构
可编程的CAS延时
可编程的加法延时:0,CL-1,CL-2
基于tCK的可编程CAS WRITE延迟(CWL)
可编程突发长度:4和8
可编程的突发序列: 顺序或交错
可即时切换BL
自动自刷新(ASR)
自我刷新温度(SRT)
部分阵列自刷新
异步RESET引脚
支持TDQS(终止数据选通)(仅X8)
OCD(片外驱动器阻抗调整)
动态ODT(片上终端)
驱动器强度:RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
写入均衡
在DLL关闭模式下,最高可达200MHz
应用
汽车
信息娱乐系统
远程信息处理
驾驶员信息系统
工业领域
人机界面
嵌入式计算
电信/网络
接入节点(PON OLT, DSLAM, CMTS, 无线)
汇聚节点
交换机和路由器
分组光传输
网络存储
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