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Renesas瑞萨电子 72V255LA10TFG CMOS先进先出存储器

Renesas瑞萨电子 72V255LA10TFG CMOS先进先出存储器

来源:本站时间:2023-05-10浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司推出Renesas瑞萨电子 72V255LA10TFG CMOS先进先出存储器,是IDT72255的功能兼容版本,设计用于以非常低的功耗运行3.3V电源。描述:72V255LA10TFG是一款深度极高的高速CMOS先进先出(FIFO)存储器,具有时钟读写控制。与以前的超级同步FIFOs相比,…

深圳市明佳达电子有限公司推出Renesas瑞萨电子 72V255LA10TFG CMOS先进先出存储器,是IDT72255的功能兼容版本,设计用于以非常低的功耗运行3.3V电源。


描述:

72V255LA10TFG是一款深度极高的高速CMOS先进先出(FIFO)存储器,具有时钟读写控制。与以前的超级同步FIFOs相比,这些FIFOs提供了许多改进,包括以下方面:

• 一个时钟输入相对于另一个的频率限制已被取消。频率选择引脚(FS)已被移除,因此不再需要选择两个时钟输入RCLK或WCLK中的哪一个以更高的频率运行。

• 重新传输操作所需的时间现已固定且较短。

• 从第一个字被写入空FIFO到可以读取的时间,第一个字的数据延迟期现在是固定且短的。(在以前的SuperSync设备上发现的与延迟周期相关的可变时钟周期计数延迟已在此SuperSync系列上消除。


特征:

• 从以下存储器组织中进行选择:IDT72V255LA 8192 x 18

• 引脚与IDT72V275/72V285和IDT72V295兼容/72V2105超级同步FIFO

• 与5V IDT72255系列功能兼容

• 10ns读/写周期时间(6.5ns访问时间)

• 固定、低首字数据延迟时间

• 5V输入耐受

• 自动断电可最大限度地减少待机功耗

• 主复位清除整个FIFO

• 部分复位清除数据,但保留可编程设置

• 具有固定、低首字数据延迟时间的重传操作

• 空、满和半满标志信号FIFO状态

• 可编程的几乎为空和几乎为满标志,每个标志可以默认为两个预选偏移中的一个

• 通过串行或并行方式对部分标志进行编程

• 选择IDT标准时序(使用EF和FF标志)或首字直通时序(使用or和IR标志)


属性:

存储容量: 144K(8K x 18)  
功能: 同步  
数据速率: 100MHz  
访问时间:6.5ns  
电压 - 供电: 3 V ~ 3.6 V  
电流 - 供电(最大值): 55mA  
总线方向: 单向  
扩充类型: 深度,宽度  
可编程标志支持: 是  
中继能力: 是  
FWFT 支持: 是  
工作温度: 0°C ~ 70°C  
安装类型: 表面贴装型  
封装/外壳: 64-LQFP  
供应商器件封装: 64-TQFP(10x10) 


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