明佳达电子有限公司供应晶体管 IPD06P004N P沟道 MOSFET 60 V 16.4A 63W PG-TO252-3，进口原装，质量保证，实单可详谈 ，有兴趣的朋友欢迎致电联系陈先生QQ1668527835，电话13410018555，邮箱chen13410018555@163.com！特征• P-通道• 真正的低电阻RDS（开）• 经测试，
明佳达电子有限公司供应晶体管 IPD06P004N P沟道 MOSFET 60 V 16.4A 63W PG-TO252-3，进口原装，质量保证，实单可详谈 ，有兴趣的朋友欢迎致电联系陈先生QQ1668527835，电话13410018555，邮箱chen13410018555@163.com！
特征
• P-通道
• 真正的低电阻RDS（开）
• 经测试，100%不受影响
• 正常水平
• 增强模式
• 无铅电镀；符合RoHS标准
• 符合IEC61249-2-21的无卤素标准
规格参数
FET 类型： P 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 @ 16.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 710µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF @ 30 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 63W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： PG-TO252-3
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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