供应氮化镓 (GaN) IC LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET

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供应氮化镓 (GaN) IC LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET

来源：本站时间：2023-05-31浏览数：

明佳达电子长期大量供应氮化镓 (GaN) IC LMG3522R030RQSR 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET器件描述：LMG3522R030RQSR GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。 LMG3522R0…

明佳达电子长期大量供应氮化镓 (GaN) IC LMG3522R030RQSR 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET

器件描述：

LMG3522R030RQSR GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

LMG3522R030RQSR集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。 GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

LMG3522R030RQSR特性：

• 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET

– 集成高精度栅极偏置电压

– 200V/ns FET 释抑

– 23.6MHz 开关频率

– 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI

– 在 7.5V 至 18V 电源下工作

• 强大的保护

– 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护

– 硬开关时可承受 720V 浪涌

– 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护