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汽车级MOSFET_IPC100N04S5-1R9_OptiMOS™-5 功率晶体管

汽车级MOSFET_IPC100N04S5-1R9_OptiMOS™-5 功率晶体管

来源:本站时间:2025-02-11浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司原装正品英飞凌汽车级MOSFET_IPC100N04S5-1R9_OptiMOS™-5 功率晶体管 40V,N-通道,最大 1.9 mΩ,PQNF描述IPC100N04S5-1R9是一款N 沟道 MOSFET,专为汽车应用而设计。它采用 OptiMOS™ 5 技术,具有 低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点,…

深圳市明佳达电子有限公司原装正品英飞凌汽车级MOSFET_IPC100N04S5-1R9_OptiMOS™-5 功率晶体管 40V,N-通道,最大 1.9 mΩ,PQNF


描述

IPC100N04S5-1R9是一款N 沟道 MOSFET,专为汽车应用而设计。它采用 OptiMOS™ 5 技术,具有 低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点,广泛应用于汽车电机驱动、电源管理、LED 照明等领域。


特点

• OptiMOS™ - 用于汽车应用的功率 MOSFET

• N 沟道 - 增强模式 - 正常电平

• 通过 AEC Q101 认证

• MSL1 峰值回流温度高达 260°C

• 175°C 工作温度

• 绿色产品(符合 RoHS 规范)

• 100% 通过雪崩测试


产品规格

型号:IPC100N04S5-1R9

类型:N沟道增强型MOSFET

耐压:40V

最大导通电阻:1.9mΩ(最大值),1.6mΩ(典型值,10V驱动时)

连续漏极电流:100A(Tc=25°C)

脉冲漏极电流:400A(Tc=25°C)

雪崩能量:130mJ(单脉冲,50A时)

工作温度范围:-55℃~+175℃

封装:PG-TDSON-8-34(表面贴装)

IPC100N04S5-1R9.jpg

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