闪存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存储器

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闪存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存储器

来源：本站时间：2025-02-18浏览数：

深圳市明佳达电子有限公司原装正品英飞凌闪存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC一般说明S79FL512SDSMFBG03器件用单个 CS# 连接两个四路 I/O SPI 器件，形成八位 I/O 数据路径。这种字节 I/O 接口称为双四路 I/O。这些器件通…

深圳市明佳达电子有限公司原装正品英飞凌闪存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC

一般说明

S79FL512SDSMFBG03器件用单个 CS# 连接两个四路 I/O SPI 器件，形成八位 I/O 数据路径。这种字节 I/O 接口称为双四路 I/O。这些器件通过 SPI 连接到主机系统。支持传统的 SPI 单位串行输入和输出（IO1 和 IO5），以及四位（Quad I/O 或 QIO）串行命令。这种多宽度接口称为 SPI 多 I/O 或 MIO。此外，这两款器件还增加了对 QIO 的 DDR 读取命令的支持，可在时钟的两个边沿上传输地址和读取数据。Eclipse 架构具有一个页面编程缓冲区，允许在一次操作中编程多达 256 个字（512 字节）或 512 个字（1024 字节），从而使有效编程（分别高达 2 MB/s 或 3 MB/s）和擦除（高达 1 MB/s）的速度大大快于上一代 SPI 编程或擦除算法。直接从闪存执行代码通常称为就地执行（XIP）。通过以支持的更高时钟速率使用 S79FL-S 器件和 QIO 或 DDR-QIO 命令，指令读取传输速率可以达到或超过传统的并行接口、异步、NOR 闪存，同时大幅减少信号数量。S79FL-S 产品具有高密度和各种嵌入式应用所需的最快读写性能。它们是代码阴影、XIP 和数据存储的理想选择。

产品属性

存储容量: 512 Mbit

电源电压-最小: 2.7 V

电源电压-最大: 3.6 V

有源读取电流（最大值）: 180 mA

接口类型: SPI

最大时钟频率: 80 MHz

组织: 64 M x 8

数据总线宽度: 8 bit

定时类型: Asynchronous

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 105 C