深圳市明佳达电子有限公司最新推出ST IGBT晶体管 STGW25M120DF3 IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 375 W 通孔 TO-247-3描述该器件是采用先进的专有沟槽栅场停结构开发的 IGBT。该器件是 M 系列 IGBT 的一部分，代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，其中低损耗和短路…
深圳市明佳达电子有限公司最新推出ST IGBT晶体管 STGW25M120DF3 IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 375 W 通孔 TO-247-3
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场停结构开发的 IGBT。该器件是 M 系列 IGBT 的一部分，代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正 VCE（饱和）温度系数和紧密的参数分布使并联操作更加安全。
所有功能
最高结温： TJ = 175 °C
10 μs 的短路耐受时间
低 VCE（饱和）= 1.85 V（典型值）@ IC = 25 A
严格的参数分布
正 VCE（饱和）温度系数
低热阻
软恢复和快速恢复反并联二极管
产品属性
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 326 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: M
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 38 g
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