供应ROHM SiC功率器件：SiC肖特基势垒二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块

产品分类

最新资讯: 公司动态; 行业资讯

首页 /公司动态 /

供应ROHM SiC功率器件：SiC肖特基势垒二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块

来源：本站时间：2025-05-06浏览数：

供应ROHM SiC功率器件：SiC肖特基势垒二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块深圳市明佳达电子有限公司是一家专注于电子元器件供应链服务的综合性企业。公司拥有超过100万种电子元器件的库存优势型号，能够快速响应客户需求；建立了覆盖深圳、香港等地的仓储物流网络，支持&quo…

供应ROHM SiC功率器件：SiC肖特基势垒二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块

深圳市明佳达电子有限公司是一家专注于电子元器件供应链服务的综合性企业。公司拥有超过100万种电子元器件的库存优势型号，能够快速响应客户需求；建立了覆盖深圳、香港等地的仓储物流网络，支持"当日下单、次日发货"的高效交付模式。

主要经营：集成电路IC、5G芯片、新能源IC、物联网芯片、蓝牙芯片、汽车芯片、人工智能IC、以太网IC、内存芯片、传感器、IGBT模块等一系列产品。

ROHM SiC肖特基势垒二极管(SBD)产品线

碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)作为ROHM SiC功率器件家族的重要成员，以其零反向恢复电流和优异的高温稳定性在高效电源设计中发挥着关键作用。与传统硅基快恢复二极管(FRD)相比，ROHM SiC SBD在开关损耗和高温性能方面具有显著优势，特别适用于高频开关电源、光伏逆变器和电动汽车车载充电器等应用场景。

ROHM SiC SBD的典型应用包括：

PFC(功率因数校正)电路：利用SiC SBD的高频特性，可显著提升PFC级效率，减少系统体积

太阳能逆变器：在MPPT(最大功率点跟踪)和DC-AC转换环节降低导通损耗

电动汽车OBC(车载充电机)：提高充电效率，减小散热系统体积和重量

服务器电源：实现钛金级能效标准，降低数据中心运营成本

ROHM SiC MOSFET技术特点与供应优势

ROHM SiC MOSFET代表了功率半导体技术的尖端水平，与传统的硅基MOSFET相比，ROHM SiC MOSFET具有更低的导通电阻(Rds(on))、更高的开关频率和优异的高温工作能力，系统效率可提升至98%以上。

SiC MOSFET器件特别适合应用于：

高频开关电源：支持MHz级开关频率，大幅减小无源元件体积

工业电机驱动：提高能效等级，降低系统运行成本

新能源发电系统：提升光伏/风电变流器的能源转换效率

激光雷达系统：实现快速精准的功率脉冲控制